6.SSD产品九个季度以来首次上涨 厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价

  和硕董事会12月28日达成决议，放弃重要子公司世硕（昆山）现金增资优先认购权，并由立讯集团旗下立臻精密，担任策略投资人全数认购，而本次世硕增资额约人民币21亿元（折算新台币约95亿元），增资后和硕对世硕持股将由100%降低至37.5%，和硕丧失对世硕控制力，正式交由立讯集团主导。

  虽和硕iPhone组装生产仍以上海厂为主力，2014年设立的昆山世硕厂产线多集中于手机及相关周边组件，但外界仍多臆测，此回立讯集团入主世硕的模式，与2021年初、和硕旗下铠胜的金属机壳厂子公司日铠，以现增直接引进立讯的过程几乎如出一辙，受客户“授意”的成分居高。

  和硕对此表示，此为因应市场以及产业环境快速变迁，为强化区域制造之生产效益，预计通过本次增资案与策略投资人建立的合资关系，可使和硕集团能更有效分配资源，取得区域平衡以增进竞争力，进而将股东价值最大化。

  和硕亦强调，因该现增案并未改变本公司现行业务运作模式，评估对本公司整体营运现况影响有限。

  立讯旗下的立臻，早在2020年第三季间，收购纬创原在昆山厂区内的iPhone产线，现再进一步取得和硕昆山厂后，对其在iPhone供应链势力明显扩增。 根据和硕第三季财报，和硕持有立讯将近4,000万股，双方持续加强合作。

  另一方面，和硕也积极加速布建非中国地区产能脚步。 12月28日和硕同步公告其越南厂将再进行第三期扩建，预计投资11.89亿元新台币、进行租地委建，另并以斥资8.25亿元新台币租地委建员工宿舍。

  和硕在越南海防一期厂区于2021年完工投产后，二期厂区亦在今年中就定位，据了解，主要生产包括Google智能音箱及微软Surface、游戏机等消费性电子产品。

  和硕原预期2021年底时非中产能，希望达10~20%，不过受疫情爆发冲击，整体市场需求、产业及供应链步调大乱，目前预期今年底非中产能将达10~15%。

  半导体群聚效应发酵，国际大厂纷纷落脚中国台湾，当地经济部门12月28日表示，龙头外企泛林集团（Lam Research）、阿斯麦（ASML）及美商应用材料（Applied Materials）皆宣布在台设立高端研发中心，可望新增对台采购133亿元新台币（单位下同），带动4337亿元在台投资。

  经济部门表示，泛林集团为全球第三大半导体晶圆设备制造及服务供货商，在台设立先进节点及高端制程研发技术中心，提升中国台湾在先进节点及高端制程技术的自主研发能量。 若加上ASML及应用材料，全球前三大半导体设备商全数到位。

  三巨头在台设置高端研发中心后，除带动采购与在台投资，也可带动50家当地厂商参与外商研发与切入国际供应链，中国台湾因此成为全世界半导体设备研发密度最高的地方。当地经济部门近5年投入近65亿元，补助当地设备及材料业者投入研发，带动137项自研产品进入半导体国际供应链。

  此外，补助当地半导体设备及材料业者自主研发技术，协助自产设备与材料通过台积电、日月光、联电等半导体国际大厂的质量及可靠度验证，在半导体前段生产设备、高端封装设备及关键制程材料方面取得突破。

  集微网消息，行业分析师郭明錤12月28日发文，表示纬创为英伟达2024年CoWoS AI芯片基板的最大供应商，供应比重高达约85%。纬创同时也是当前AMD的AI芯片模组与基板的独家供应商，也将自2024年下半年起成为英特尔这类产品的供应商。

  郭明錤认为，无论英伟达、AMD、英特尔在AI服务器芯片市场的竞争结果如何，纬创均处于优势供应地位。

  郭明錤还透露，工业富联取得了英伟达H200 AI芯片的基板订单，不过因为下一代B100量产时间提前，客户对H200采购意愿不高，因此工业富联的竞争对纬创的影响很有限。

  此外，B100基板的单价要比H100高约10%，因此B100量产更有助于纬创。

  纬创同时为AMD MI300系列独家模组与基板供应商，预计2024年全年AMD AI芯片出货量约为35~40万颗。

  纬创预计自2024年下半年开始成为英特尔Gaudi AI模组与基板独家供应商，此外，纬创也将提供英特尔AI服务器的系统模块设计与整体服务（L10），因此垂直整合有利于其利润增长。预计全年英特尔AI芯片的出货量约为25~30万颗。

  集微网消息，联发科CEO蔡力行透露16纳米有望转投英特尔，市场联想联发科也有机会成为联电12纳米潜在客户。外资摩根士丹利证券（大摩）指出，联电积极地推进12纳米制程，进度优于预期，未来将成台积电之外的另一供应商，并争取联发科订单。

  近日供应链透露，联电可能将其12纳米制程技术授权给英特尔，双方接洽多时后，近期将签订合作意向书。主要因为联电12纳米ARM架构技术对主攻x86架构的英特尔产生互补性，联电之后将分阶段获得上百亿元新台币授权金。

  据悉，英特尔希望获联电12纳米授权，主要看好联电在低功耗制程，尤其是ARM架构发展的优势。英特尔正强化晶圆代工能力，全力发展先进制程，12纳米制程相对成熟，若与联电合作，通过授权方式合作，更能让英特尔专注冲刺先进制程。

  对于有关报道，联电表示，对市场传闻不评论，12纳米为公司发展蓝图上重要制程，将提供给客户最佳解决方案。大摩认为，英特尔已是联电28纳米客户，未来下单联电12纳米机会相当高，而联发科也可能是联电12纳米的潜在客户，预期2025年前开始下单生产。

  集微网报道 （文/陈炳欣）前段时间，一则华为在金刚石材料布局专利的消息引起关注——华为与哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布，使得金刚石等超宽禁带半导体材料成为新的行业热点。相关题材的上市公司股票价格也一度随之上涨。人们关注金刚石作为一种超宽禁带半导体材料，其产业化的进程是不是已经临近？

  企查查专利摘要显示，该发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法。该发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。

  当前，金刚石的市场应用大致可分成三个方向，一是可以用作装饰钻石，相关用途人们较为熟悉；二是能做成金刚石膜，这是一种优质的散热材料；三是经掺杂以后形成半导体材料。这一应用领域尚处于实验阶段，但其发展前途被业界广泛看好。据专业的人介绍，金刚石被视为“终极半导体”材料，具有超宽禁带、高导热系数、高硬度的特点。但由于硬度最高，实现半导体级别的高纯净度也最为困难，实现产业化还有相当的距离。

  业界一般将禁带宽度大于2.3电子伏特（eV）的半导体材料称为宽禁带半导体材料。碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，氮化镓则紧随其后。与此同时，业界也在积极开发新的宽禁带半导体材料。金刚石具有更宽的禁带宽度，成为国际前沿研究热点。中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟相关报告数据显示，金刚石半导体材料的禁带宽度达5.45 eV，热导率是已知半导体材料中最高的，因而是一种极具优势的半导体材料，能够完全满足未来大功率、强电场和抗辐射等方面的需求，是制作功率半导体器件的理想材料。在智能电网、轨道交通等领域有着广阔的应用前景。

  北京科技大学新材料技术研究院教授李成明表示，相对于硅材料、氮化镓、碳化硅等，金刚石除了禁带宽度以来，最大优点是更高的载流子迁移率(空穴:3800 cm2•V-1•s-1，电子:4500 cm 2•V-1•s-1) 、更高的击穿电场(＞10 MV•cm-1 )、更大的热导率( 22 W•K-1•cm-1)，其本征材料优势是具有自然界最高的热导率以及最高的体材料迁移率，优异的电学特性承载了人类将金刚石称为终极半导体的巨大期望。

  华芯金通半导体智库创始人吴全也指出，金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质，人类很早就已发现，其主要成分是碳元素。而碳作为元素一直是人们研究的重点。基于晶体结构及其成键方式的变化，碳元素形成了或可调谐成不同性质参数的物质或材料。如今面临新一轮科技革命和产业变革，人类对半导体材料和物质的需求进一步泛在与放大。金刚石拥有热导率最高和导电半导体性能调谐表征的特点，因此，受到科学界和产业界关注的热度在不断升温。华为是全球科学技术创新和产业应用的引领者。围绕金刚石领域，华为积极专利布局，甚至产业布局，是顺势而为和必要之举。

  从研发进展情况去看，由于金刚石的性能优势，人们很早就开启了对金刚石的研究。20世纪70年代，美国科学家开发出利用高温高压法（HPHT）生长小块状金刚石单晶，开启了金刚石研究的热潮。近年来随着后摩尔时代的来临，人们在新材料领域的研发投入一直增长，也加速了金刚石等超宽禁带半导体材料的开发。

  根据专业的人介绍，近年来金刚石功率电子学在材料和器件方面均有新的技术突破。在材料方面，采用高温度高压力法制备的单晶金刚石直径已达20mm，且缺陷密度较低。如果是采用化学气相沉积(CVD)法，同质外延生长的独立单晶薄片具有缺陷密度低的特点，最大尺寸可达1英寸；采用“平铺克隆”晶片的马赛克拼接技术生长的金刚石晶圆可达2 英寸。而采用金刚石异质外延技术的晶圆可达4 英寸。如果是低成本的异质外延CVD 法，金刚石多晶薄膜的发展和应用已很活跃，晶圆已达8 英寸，已可作为导热衬底，用于新一代GaN功率电子器件。

  金刚石材料的掺杂技术是形成功率器件的基础，一直也是研究的热点。由于金刚石的密排结构与小间隙。传统的元素掺杂技术通常会引起金刚石严重的晶格畸变，并导致深能级掺杂，室温载流子激活困难。因此过去20多年来，N 型掺杂技术一直被认为是一个难点。近期相关报道显示，N型掺杂金刚石材料取得突破性进展，掺杂浓度达1020 cm-3。

  金刚石器件方面的研究也有诸多进展。资料显示，金刚石二极管已有初步的实验应用，金刚石MOSFET 和氢终端射频FET 的研究明显加快，4 英寸多晶金刚石上的GaN HEMT 获得突破性进展。从材料生长、器件结构、器件工艺等方面，金刚石的研发都有很大的进展，这为金刚石早日得到真正市场应用开启了新的契机。

  尽管未来前景广阔，目前金刚石仍处于基础研究尚待突破阶段，在材料、器件等方面都有大量科学问题尚需攻克。对此，吴全就指出，从实验室研究到生产制造来讲，金刚石与其他半导体的程序性流程并无太大差异。就“一代材料，一代工具，一代设备，一代工艺，一代器件，一代产品、一代系统”的通常延展式研究和开发链条来讲，金刚石的材料属性，尤其是硬度、导热、宽带隙的特征，拔高了所有的环节的难度和门槛。如，长晶时间长、晶圆尺寸尚小、切割难度尚大，以及由此引发的成本偏高，诸如系列因素致使金刚石在全球半导体领域的应用仍处于前期预研或产业化的早期阶段。

  “我国在金刚石的产业化上拥有很好的基础与优势，拥有全球金刚石行业规则制定及产品定价的话语权，金刚石单晶、微粉和制造的市场占有率超过90%，制作成砂轮、切割线、刀具等多种形态产品，大范围的应用于下游石油钻探、石材切割、光伏切割等市场，使用范围广、应用场景多，也出现了如惠丰钻石、黄河旋风、岱勒新材和美畅股份等若干家金刚石相关的上市公司。下一步的发展重点，更多在半导体领域。国内厂家对发挥金刚石电子电力即半导体性能的认识上，与国际基本同步。但受限于国内半导体工具、装备及其工艺水平的爬坡，或者说与国外的差距，我们在这块尚未形成突破或优势，瓶颈仍在半导体范畴。”吴全表示。

  相关行业专家也指出，未来金刚石材料和功率器件的发展重点应集中在几个方向：首先是要开发出满足功率半导体器件制造要求的2～4英寸金刚石单晶衬备技术。特别是应重点突破2～4英寸金刚石单晶材料技术，材料的品质能够完全满足金刚石功率器件研发的需求。其次是在高质量金刚石N型掺杂技术方面进一步取得突破，提高电子和空穴迁移率，为研制金刚石功率器件奠定基础。第三是掌握金刚石器件研制的核心关键工艺，研制出高性能的金刚石功率器件,提高稳定性。开展金刚石材料和器件关键设备的研发，获得自主知识产权，并实现商业化。

  6.SSD产品九个季度以来首次上涨 厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价

  集微网消息，个人电脑（PC）内置存储设备的价格正在上涨，10-12月期间固态硬盘（SSD）批发价（大宗交易价格）较上一季度上涨9%，这是九个季度以来的首次增长。

  数据显示，2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元，皆较前一季度（2023年7-9月）上涨9%，也都是九个季度以来（2021年7-9月以来）首度上涨。

  报道指出，韩国、美国等存储厂商因市况低迷、业绩恶化，自2022年后半年开始减产NAND Flash，SSD因此供应紧缩。随着供应过剩问题缓解，厂商在最近的价格谈判中强烈要求调涨NAND Flash、SSD价格，且为了改善获利，SSD厂计划在2024年1-3月以后持续要求涨价。而买方虽表示某些特定的程度的理解，但对大幅涨价抱持抗拒，因此今后关注焦点在于调涨幅度多大。

  消息人士称，自2023下半年以来，存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格持续上涨较为温和，约20%，但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。

  【授权】我国2023年授权发明专利92.1万件，登记集成电路布图设计1.13万件；荣耀与诺基亚签署5G专利交叉许可协议

  【减产】面板厂商Q1扩大减产，有望推动价格反弹；艾斯谱光电项目签约四川内江，总投资41亿元；辰显光电获数亿元A轮融资

  【爆料】华为P70、iPhone 16/17爆料，供应商均包括玉晶光；英特尔任命慧与前高管；南亚科2023年12月营收创新高